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AONR21321 MOSFET力
電子工学のP-Channel 30Vの分離した半導体のパッケージ8-DFN-EP
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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16.5mOhm @ 12A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2.3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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34 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±25V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1180 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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4.1W （Ta）、24W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-DFN-EP （3x3）
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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概説
•最も最近の高度の堀の技術-30V
•低いRDS （）
•高い現在の機能
•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的
適用
•負荷スイッチACのノート
•電池の保護充満/排出
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