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IRFU220NPBF MOSFET パワー エレクトロニクス 高性能、低オン抵抗、低ゲート電荷
特徴:
• Nチャンネル
• ロジックレベルゲート
• 低いオン抵抗
• 高速スイッチング機能
• 低いゲートしきい値電圧
• 高入力インピーダンス
• 低い入力容量
• 高利得帯域幅積
• RoHS対応
包装: TO-220AB
構成: シングル
ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 200V
ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
ドレイン電流 (ID): 25A
連続ドレイン電流 (ID): -25A
ドレイン・ソース間オン状態抵抗 (RDS(ON)): 0.065Ω
最大ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
消費電力 (PD): 30W
動作温度範囲: -55°C ~ +150°C
当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
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