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IRF7465TRPBF MOSFET パワー エレクトロニクス N チャネル高周波 DC-DC コンバータ パッケージ 8-SOIC
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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280ミリオーム @ 1.14A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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5.5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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15nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±30V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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330 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.5W(Ta)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-SO
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パッケージ・ケース
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アプリケーション
高周波DC-DCコンバータ
無鉛の
利点
ゲートからドレインへの低い電荷によりスイッチング損失を低減
実効COSSを含む完全に特性化された静電容量により設計が簡素化されます（アプリケーションノートAN1001を参照）
完全に特性化されたアバランシェ電圧と電流
