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FDS4685 MOSFETのパワー エレクトロニクス8-SOICは40V P-Channel力管理適用を包む
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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27mOhm @ 8.2A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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27 NC @ 5ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1872 pF @ 20ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.5W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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パッケージ/場合
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特徴
■– 8.2 A、– 40ボルトRDS （） = 0.027のΩ @ VGS = – 10ボルトRDS （） = 0.035のΩ @ VGS = – 4.5ボルト
■速い切り替え速度
■極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
■高い発電および現在の処理の機能
適用
■力管理
■負荷スイッチ
■電池の保護
概説
このP-Channel MOSFETはオン・セミコンダクターの高度のPowerTrenchプロセスの険しいゲート版である。それはあった
ゲート ドライブ電圧評価（4.5V – 20V）の広い範囲を要求する力管理適用のために最大限に活用される。
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