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FQT4N20LTF MOSFETのパワー エレクトロニクス
SOT-223-4パッケージのN-Channelの高エネルギーの強さ電子ランプのバラスト
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とタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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1.35Ohm @ 425mA、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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5.2 NC @ 5ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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310 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.2W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-223-4
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パッケージ/場合
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このN-Channelの強化モード力MOSFETはフェアチャイルドSemiconductor®の専有平面の縞およびDMOSの技術を使用して作り出される。この高度MOSFETの技術は特にオン州の抵抗を減らし、優秀な転換の性能および高いなだれエネルギー強さを提供するために合った。これらの装置は転換されたモード電源、アクティブな電源の要因訂正（PFC）、および電子ランプのバラストのために適している。
特徴
•0.85 A、200ボルトのRDSの（） =1.35 Ω （タイプ。） @VGS=10 V、ID=0.425 A
•低いゲート充満（タイプ。4 NC）•低いCrss （タイプ。6 pF）
•100%のなだれによってテストされるN-Channel QFETの® MOSFET 200 V、0.85 Aの1.40のΩの記述
•論理ドライブからの低レベルのゲート ドライブRequirments直接操作を許可する。
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