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3 年
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Nチャンネルパワートレンチ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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1.2ミリオーム @ 50A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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52nC @ 4.5V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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8900 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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200W(TC)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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パッケージ・ケース
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特徴
• 設置面積が小さい (5x6 mm) ため、コンパクトな設計が可能
• 低いRDS(on)で伝導損失を最小限に抑える
• 低い QG と静電容量により、ドライバーの損失を最小限に抑えます。
• NVMFS5C604NLWF − 強化された光学用のウェッタブルフランクオプション
検査
• AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。
