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FQT1N60CTF-WS MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-261-4のパッケージのN-Channel QFETエネルギー強さ
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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11.5Ohm @ 100mA、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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6.2 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±30V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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170 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.1W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-223-4
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パッケージ/場合
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記述
このN−Channelの強化モード力MOSFETはオン・セミコンダクターの専有平面の縞およびDMOSの技術を使用して作り出される。この高度MOSFETの技術は特にon−stateの抵抗を減らし、優秀な転換の性能および高いなだれエネルギー強さを提供するために合った。これらの装置は転換されたモード電源、アクティブな電源の要因訂正（PFC）、および電子ランプのバラストのために適している。
特徴
•0.2 A、600ボルト、RDS （） = 9.3 （タイプ。） @ VGS = 10ボルト、ID = 0.1 A
•低いゲート充満（タイプ。4.8 NC）
•低いCrss （タイプ。3.5 pF）
•100%のなだれはテストした
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである
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