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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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3.41mOhm @ 30A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2.1V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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26 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1683 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.55W （Ta）、30.5W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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5-DFN （5x6） （8-SOFL）
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
製品名:NTMFS4C025NT1G
製造業者:オン・セミコンダクター
製品タイプ:MOSFETのパワー エレクトロニクス
変数:
•下水管源の電圧（Vdss）:25V
•ゲート源の電圧（Vgs）:20V
•流れ（ID）を流出させなさい:4A
•静的な下水管源のオン抵抗（Rds）:0.0055ohm
•電力損失（Pd）:2.25W
•実用温度範囲:-55°Cへの+150°C
•土台:SMD/SMT
