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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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4.1mOhm @ 80A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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69 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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3240 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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300W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-HPSOF
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
製品名:FDBL86066-F085
製造業者:オン・セミコンダクター
製品タイプ:MOSFETのパワー エレクトロニクス
最高の連続的な下水管の流れ:8.5A
最高の下水管の源の電圧:60V
（最高） @ IDのRds:2.2mOhm @ 10A
パッケージ/場合:8-DFLA
タイプの取付け:穴を通して
