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3 年
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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5.9mOhm @ 23A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 120µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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31 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2040 pF @ 40ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.7W （Ta）、100W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-PQFN （3.3x3.3）
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
プロダクト:オン・セミコンダクターNTTFS5D9N08HTWG MOSFETのパワー エレクトロニクス
変数:
•下水管源の電圧（Vdss）:60ボルト
•ゲート源の電圧（Vgs）:±20 V
•連続的な下水管の流れ（ID）:8.5 A
•脈打った下水管の流れ（Idm）:17 A
•オン抵抗（Rds）:0.09オーム
•上昇時間（tr）:5 ns
•落下時間（tf）:10 ns
•最高の接合部温度（Tj）:175 °C
•実用温度:-55 175 °Cへの°C
•パッケージ/場合:TO-252-3、DPAK
•タイプの取付け:表面の台紙
•ピンの数:3
•ブランド:オン・セミコンダクター
•トランジスター タイプ:MOSFETのN-Channel、金属酸化物
•トランジスター極性:N-Channel
•電力損失（Pd）:12.5のW
