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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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160mOhm @ 2.4A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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24 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±25V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1360 pF @ 75ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.3W （Ta）、40W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-MLP （3.3x3.3）
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDMC86261P力MOSFET
製品の機能:
•N-Channel
•100ボルト
•20 A
•0.025オーム
•3.3 mA @ 10ボルト
•175°C最高使用可能温度
•速い切換え
•低いゲート充満
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•低い出力キャパシタンス
•ESDは保護した
•迎合的なRoHS
