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3 年
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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2.4mOhm @ 26A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 1mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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57 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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3550 pF @ 15ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.5W （Ta）、59W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-PQFN （5x6）
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
製品名:オン・セミコンダクターFDMS8023SのN-Channel力MOSFET
記述:FDMS8023Sはオン・セミコンダクターからのN-Channel力MOSFETである。低いオン州の抵抗および速い切り替え速度を提供することを設計し統合されたゲートの保護ダイオードを含んでいる。
特徴:
- 低いオン州の抵抗
- 速い切り替え速度
- 統合されたゲートの保護ダイオードを含んでいる
指定:
- 電圧評価:30V
- 現在の評価:30A
- 電力損失:4.1W
- 実用温度範囲:-55°Cへの150°C
