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3 年
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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400mOhm @ 5.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4.5V @ 1.1mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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56 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2350 pF @ 100ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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35.7W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220F-3
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パッケージ/場合
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FCPF400N80Zは高い発電の転換の適用の使用のために設計されているN-channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。それは業界標準TO-220-3パッケージで包まれ、あらゆる回路に容易な統合を可能にする。FCPF400N80Zに800Vの最高の下水管源の電圧、400Aの最高の下水管の流れ、および3.2mΩの最高の下水管源のオン州の抵抗がある。150°Cの最高の接合部温度で作動することを設計し、575nCの最高のゲート充満がある。FCPF400N80Zは速い切り替え速度、低いオン抵抗および高性能の優秀な転換の性能を、提供する。それは運動制御、力の切換えおよび力転換のような適用の使用にとって理想的である。
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