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3 年
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.1ミリオーム @ 30A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.2V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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45.2nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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3071 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.1W(Ta)、64W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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パッケージ・ケース
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NTMFS4C03NT1G は、ON Semiconductor の PowerTDFN 8 ピン パッケージ N チャネル 20V (DS) MOSFET です。高速スイッチングと低いオン抵抗を必要とする低電圧アプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、ゲート電荷が低く、ドレイン-ソース間オン状態抵抗が低いことが特徴です。DC-DCコンバータ、バッテリ駆動システム、その他のスイッチングアプリケーションなどのアプリケーションに最適です。
NTMFS4C03NT1G は、低電圧アプリケーションで優れたスイッチング性能を提供するロジックレベル MOSFET です。0.0085Ωの低いRDS(on)と13.4pFの入力容量を提供します。このデバイスは RoHS に準拠しており、-55 °C ～ +150 °C の拡張温度範囲での動作も仕様化されています。
NTMFS4C03NT1G は、DC-DC コンバータ、バッテリ駆動システム、および低電圧と高速スイッチングを必要とするその他のスイッチング アプリケーションにとって理想的なソリューションです。ゲート電荷が低く、ドレイン・ソース間オン状態抵抗が低いことが特徴で、RoHS に準拠しています。このデバイスは、-55 °C ～ +150 °C の拡張温度範囲での動作が仕様化されています。
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