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3 年
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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265ミリオーム @ 9A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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60nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±30V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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2860 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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38.5W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220F-3
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パッケージ・ケース
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のFDPF18N50はのN-チャネル強化モード分野-効果トランスイスター(FET)とある最大ドレイン現在の18あとあるドレイン-ソース電圧の500V。それは収容されたのあるに-220-3パッケージ、どれの特徴ある3-ピン構成とは作るのテルム味方行為私は材料に提供改善された冷却。これ力MOSFETは具体的には設計に最小化するの上-州抵抗と提供より高い切り替えパフォーマンス。それ特徴ある速い切り替え時間、低いゲート充電、と低い前方電圧落とす。のFDPF18N50は適切ために様々アプリケーション、そのようなとしてモーターコントロール、力用品、直流-直流変換するターズ、と他の力管理システム。
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