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FETのタイプ
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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6V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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7.2mOhm @ 28A、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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4V @ 150µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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24 NC @ 6ボルト
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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2635 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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83W (Tc)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-PQFN (5x6)
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パッケージ/場合
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FDMS 86182は8-自動車および産業適用の高い現在の適用を扱うように設計されているPowerTDFNのパッケージ力MOSFETである。それは低いオン抵抗の設計および伝導の損失を最小にするために高い現在の機能50までAを特色にする。この装置は低いゲート充満および低いゲートの抵抗効率を高めるために転換の損失を最小にするようにおよび速い切り替え速度と設計されている。それはまた改善されたEMIの性能のための低い逆の移動キャパシタンスを特色にする。FDMS 86182は高い現在、低い損失および高いEMIの性能を要求する適用のための優秀な選択である。
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