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NTHD3101FT1G8-SMDMOSFET力エレクトロニクストランスイスターために高い-F頻度スイッチしているアプリケーション
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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1.8V、4.5V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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80ミリオーム @ 3.2A、4.5V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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1.5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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7.4nC @ 4.5V
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Vgs (最大)
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±8V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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680 pF @ 10 V
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FETの特徴
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ショットキー ダイオード (絶縁型)
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消費電力(最大)
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1.1W(Ta)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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チップFET™
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パッケージ・ケース
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製品リスト:
製品名: NTHD3101FT1G MOSFET パワーエレクトロニクス
メーカー：オンセミ
パッケージ: 8-SMD
パラメーター：
・VDSS：-30V
・RDS(on)：0.006Ω
●ID:-30A
・Qg：9nC
・入力容量（Ciss）：327pF
・出力容量（Coss）：35pF
•遷移周波数 (フィート): 8GHz
•パルスドレイン電流 (IDM): -60A
・閾値電圧（VGS(th)）：-2.3V
