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良質SOT-223パッケージNVF 6P02T3G MOSFETのパワー エレクトロニクスのP-Channel -10 -20のV
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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2.5V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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50mOhm @ 6A、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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20 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±8V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1200 pF @ 16ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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8.3W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-223 （TO-261）
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パッケージ/場合
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製品の説明:
オン・セミコンダクターNVF6P02T3GはN-channel MOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。この装置は6Vゲートの境界から作動するように設計され10V下水管源の電圧で2.3mΩの低いオン抵抗を特色にする。パッケージはSOT-223である。
製品の機能:
•N-channel MOSFET
•6Vゲートの境界
•10V下水管源の電圧の2.3mΩの低いオン抵抗
•パッケージ:SOT-223
•製造業者:オン・セミコンダクター
