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FDMC86520L MOSFETのパワー エレクトロニクスの良質の進んだ機能の最適化されたパフォーマンス
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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7.9mOhm @ 13.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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64 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4550 pF @ 30ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.3W （Ta）、40W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-MLP （3.3x3.3）
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パッケージ/場合
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FDMC86520Lは広い応用範囲の最大信頼性そして効率を提供するように設計されている高性能のN-channel MOSFET力の電子デバイスである。この装置は高度の低電圧の堀の構造および効率および電力損失を高めるために低いオン州の抵抗を特色にする。その低いゲート充満および低い境界の電圧それを高周波適用にとって理想的にさせるため。
装置はスペース強いられた適用のためにそれを理想的にさせる小さい形式要素のパッケージで利用できる。それはまたRoHS迎合的で、高められた信頼性のための高温評価を特色にする。この装置は転換の電源、高性能DC-DCのコンバーターおよび運動制御を含むいろいろな適用の使用のために適している。
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