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FDMS 86101 MOSFETのパワー エレクトロニクス
高性能の信頼性が高い半導体デバイスの高度のパッケージの技術
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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8mOhm @ 13A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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55 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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3000 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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2.5W （Ta）、104W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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8-PQFN （5x6）
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パッケージ/場合
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FDMS 86101は高い発電の転換の適用の使用のために設計されているN-Channel力MOSFETである。それは低いオン州の抵抗、高く切り替え速度および高温軍事行動能力を提供する最も最近の力MOSFETの加工技術を使用して造られる。FDMS 86101はそれにスペースによって強いられる適用のための適した選択をする控えめなパッケージで収容される。MOSFETはそれを高周波転換の適用のために適したようにする低い入力キャパシタンスを特色にする。険しい構造および低いゲート充満によって、FDMS 86101は高い発電DC-DCのコンバーター、高い発電の電池式システムおよび高い発電の運動制御システムのような適用のための理想的な選択である。
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