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FDD2572 MOSFETのパワー エレクトロニクス
TO-252-3トランジスター広く電圧を作動させる抵抗の良質の信頼性の低速
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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54mOhm @ 9A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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34 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1770 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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135W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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FDD 2572はTO-252-3パッケージの高圧、high-current力MOSFETである。それに100ボルトの下水管源の絶縁破壊電圧および25Aの連続的な下水管の流れがある。それは高周波切換えおよびモータ速度制御のような強力な転換の適用を実行するための理想的な選択である。FDD 2572は低いオン抵抗および減らされた電源切れおよび改善された効率を可能にする低いゲート境界の電圧が装備されている。それはまた速い切り替え速度および助け時間を転換することを減り、システム パフォーマンスを改善するため低いゲート充満を特色にする。なお、それは迎合的なRoHS、作り付けの保護と逆バイアスおよび静電放電に対して来る。FDD 2572はさまざまな企業の強力な転換の適用の実施のための理想的な選択である。
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