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FDV 303N MOSFETのパワー エレクトロニクス
TO-236-3高性能の耐久性のパワー エレクトロニクスの適用
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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2.7V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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450mOhm @ 500mA、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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2.3 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±8V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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50 pF @ 10ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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350mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3
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パッケージ/場合
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FDV303NはTO-236-3パッケージでN-channelの強化モード電界効果トランジスタ（MOSFET）収容したである。それはほとんどのDC-DCのコンバーター、運動制御および他の高周波転換回路の力の転換の適用に優秀な性能を提供する。
FDV303Nに0.15Ωの低いオン州の抵抗（Rdson）および速い切換えのための3.4nCの低いゲート充満がある。それはまた30Vの高い作動の電圧、2.8Vの低い境界の電圧、10Aの連続的な下水管の流れ、および35Aの脈打った下水管の流れを特色にする。
FDV303Nは迎合的なRoHS、UL 746CおよびEN 60335-1の条件を満たすように設計されている。それにまた-55°Cに150°Cの実用温度範囲があり、高いサージ電流に抗することができる。FDV303Nは最もデマンドが高い適用の優秀な性能そして信頼性を提供するように設計されている。
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