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NTA 7002 NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSC-75の高性能の切換えの解決
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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2.5V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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7Ohm @ 154mA、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1.5V @ 100µA
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Vgs （最高）
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±10V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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20 pF @ 5ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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300mW （Tj）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SC-75、SOT-416
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パッケージ/場合
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1. NTA7002NT1Gはオン・セミコンダクターからのP-Channel MOSFETである。それは2Wの最高の電力損失のSC-75パッケージで収納される力装置である。このMOSFETに4.5Ohmsの低いオン抵抗および-20Vの絶縁破壊電圧がある。それはさまざまな切換えおよび線形適用のための、また力管理および電池の保護のための理想的な選択である。
2. NTA7002NT1G MOSFETは低いオン抵抗および高い現在の評価を要求する高性能適用のために造られる。それにまた低いゲート充満、低い入力キャパシタンスおよび低い出力キャパシタンスを保障する高度の製作プロセスがある。これはそれを高速転換の適用のために適したようにする。
3. NTA7002NT1G MOSFETは広い応用範囲のために適している高性能の、ローパワー設計を特色にする。このMOSFETは連続的な流れの2Aまで扱うことができ低いオン抵抗は低電圧の低下、減少の電源切れを保障する。このMOSFETはまた迎合的な証明されるRoHSおよびULでありそれに倍数のための信頼できる選択をする
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