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TN2124K1-G力MOSFETの電子工学の高性能の信頼できる解決
プロダクト リスト:
TN2124K1-G MOSFETのパワー エレクトロニクス
記述:
TN2124K1-Gは低いオン抵抗および低いゲート充満が付いているMOSFETのパワー エレクトロニクス装置である。それはインバーターおよびDC/DCのコンバーターのような力転換の適用にとって理想的である。それは低い境界の電圧、速く切り替え速度および優秀な熱性能を特色にする。
変数:
- 下水管源の電圧:100V
- ゲート源の電圧:±20V
- 静的な下水管源のオン抵抗:9.5mΩ
- 最高の連続的な下水管の流れ:15A
- 作動の接合部温度:-55°C | 150°C
- 最高の電力損失:0.95W
- 包装:TO-252-3L
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