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DN3545 N3-抵抗で低く転換するG MOSFETのパワー エレクトロニクスのN-Channelの高速
製品の説明:
ダイオードIncorporatedからのDN3545N3-G MOSFETのパワー エレクトロニクスは高側の力の転換の適用のための完全な選択である。この装置は逆の現在の保護のための統合されたゲートの運転者、また内部ボディ ダイオードを含んでいる。それはそれを有効な力の切換えを要求する適用にとって理想的にさせる3.5mΩの非常に低いオン抵抗の低いゲートに源の電圧を支える。
プロダクト変数:
•パッケージ:DPAK
•最高の下水管の源の電圧:35V
•最高のゲート源電圧:±20V
•最高の下水管の流れ:45A
•抵抗の源を流出させなさい:3.5mΩ
•実用温度範囲:-55°Cへの+150°C
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