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3 年
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AO3414 N-Channelの強化モードMOSFET
特徴:
•低いオン抵抗のための高密度細胞の設計
•低い入れられたキャパシタンスおよび速い切換え
•迎合的なRoHS
•100%のなだれはテストした
•Pbなし
絶対最高評価:
•下水管源の電圧:30V
•ゲート源の電圧:20V
•現在を流出させなさい:5.5A
•電力損失:3.5W
•実用温度:-55°Cへの150°C
•保管温度:-55°Cへの150°C
•鉛の温度（、10秒はんだ付けすること）:300°C
電気特徴:
•下水管源の絶縁破壊電圧:35V
•ゲートの境界の電圧:2.5V
•オン抵抗（VGS = 10V）:0.025Ω
•オン抵抗（VGS = 4.5V）:0.045Ω
•オン抵抗（VGS = 2.5V）:0.1
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