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IPW 65R110CFD MOSFETのオートメーション制御のための高性能パワー エレクトロニクスの解決
IPW65R110CFDのN-Channel力MOSFET
製品の説明:
IPW65R110CFDのN-Channel力MOSFETは低いオン抵抗が望まれる力管理適用の使用のために設計されている高速の、低損失装置である。このMOSFETは速く、強い転換の解決を提供する統合されたゲートの運転者を特色にする。低いRDS （）および高側の現在の処理の機能と、IPW65R110CFDは広い応用範囲にとって理想的である。
製品の機能:
•高速切換え
•低いオン抵抗
•統合されたゲートの運転者
•高側の現在の処理の機能
•迎合的なRoHS
製品仕様書:
•下水管源の電圧（VDS）:30V
•ゲート源の電圧（VGS）:±20V
•連続的な下水管の流れ（ID）:110A
•下水管源のオン抵抗（RDS （））:0.0065Ω
•パッケージ:TO-252 （D-PAK）
•実用温度:-55°Cへの150°C
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