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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IPW60R070P6 MOSFET パワーエレクトロニクス高性能、高効率、低電圧スイッチングソリューション

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型式番号 :IPW60R070P6

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :600V

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :53.5A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :10V

（最高） @ ID、VgsのRds :70mOhm @ 20.6A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :4.5V @ 1.72mA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :100 NC @ 10ボルト

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IPW60R070P6 MOSFET パワーエレクトロニクス高性能、高効率、低電圧スイッチングソリューション

製品説明：

IPW60R070P6 は、電源管理、モーター制御、負荷スイッチングなどのアプリケーションで使用するために設計された N チャネル MOSFET です。このデバイスはロジックレベルのゲートしきい値電圧を備えており、オン状態抵抗とゲート電荷を最小限に抑えるように設計されています。

製品の特徴：

* ロジックレベルのしきい値電圧
* 低いオン抵抗
* 低いゲートチャージ
* RoHS対応

仕様:

* ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 60V
* ゲート・ソース間電圧 (VGS): ± 20V
* RDS(on): 0.07Ω
※ID：60A
* 消費電力(PD): 385W
* 動作温度範囲: -55°C ～ +175°C
* 最大ジャンクション温度 (Tj): +175°C
* パッケージタイプ: D2PAK。

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