製品
サプライヤー
Sign in
Register
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
シンセンSaiのコリーの技術Co.、株式会社。
Manufacturer from China
正会員
4 年
ホーム
製品カタログ
会社概要
品質管理
お問い合わせ
引用を要求
日本語
English
Français
Русский язык
Español
Português
半導体ICの破片 (562)
プログラム可能なICの破片 (702)
集積回路ICの破片 (708)
MCU マイコンユニット (1740)
電子部品ICの破片 (491)
力管理IC (1172)
フラッシュ・メモリの破片 (651)
センサーのトランスデューサー (322)
一般目的のリレー (51)
MOSFETのパワー エレクトロニクス (1286)
IGBTパワーモジュール (41)
RF力トランジスター (50)
アンプICは欠ける (685)
力のアイソレーターIC (412)
ICのダイオードのトランジスター (10)
ホーム
/
製品
/
MOSFET Power Electronics
/
SIR466DP-T1-GE3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の低いVceの(坐った)高性能の切換え
/
show pictures
製品カテゴリ
半導体ICの破片
[562]
プログラム可能なICの破片
[702]
集積回路ICの破片
[708]
MCU マイコンユニット
[1740]
電子部品ICの破片
[491]
力管理IC
[1172]
フラッシュ・メモリの破片
[651]
センサーのトランスデューサー
[322]
一般目的のリレー
[51]
MOSFETのパワー エレクトロニクス
[1286]
IGBTパワーモジュール
[41]
RF力トランジスター
[50]
アンプICは欠ける
[685]
力のアイソレーターIC
[412]
ICのダイオードのトランジスター
[10]
企業との接触
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
シティ:
shenzhen
国/地域:
china
連絡窓口:
DANDAN
表示連絡先の詳細
企業との接触
SIR466DP-T1-GE3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の低いVceの(坐った)高性能の切換え
製品の詳細
SIR466DP-T1-GE3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の低いVceの(坐った)高性能の切換え 記述:SIR466DP-T1-GE3 MOSFETは広い応用範囲の最高の効率を提供するように設計されている高圧N-channel MOSFETである。それは4.0オームの低いオン抵抗...
製品詳細図 →
商品のタグ:
5401dmトランジスタ
チャネルのigbtの東芝の半導体
SCSIからSATA変換