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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
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SI4488DY-T1-E3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の高周波良質の切換え
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SI4488DY-T1-E3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の高周波良質の切換え
製品の詳細
SI4488DY-T1-E3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の高周波良質の切換え 製品の説明: SI4488DY-T1-E3はVishayによって製造されたN-Channel力MOSFETである。それに30Vの下水管源の電圧、±20Vのゲート源の電圧、61Aの下水管の流れ、0...
製品詳細図 →
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高電圧IGBT
5050smdワット
smd 5050ワット
