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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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SI4488DY-T1-E3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の高周波良質の切換え

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型式番号 :SI4488DY-T1-E3

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :150ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :3.5A （Ta）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :10V

（最高） @ ID、VgsのRds :50ミリオーム @ 5A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :2V @ 250µA （分）

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :36 NC @ 10ボルト

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SI4488DY-T1-E3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の高周波良質の切換え

製品の説明:

SI4488DY-T1-E3はVishayによって製造されたN-Channel力MOSFETである。それに30Vの下水管源の電圧、±20Vのゲート源の電圧、61Aの下水管の流れ、0.312mΩの下水管源のオン州の抵抗、および85Wの最高の電力損失がある。このMOSFETは高温および高圧適用にとって理想的である。

特徴:

•N-Channel
•30V下水管源の電圧
•±20Vのゲート源の電圧
•61A下水管の流れ
•0.312mΩ下水管源のオン州の抵抗
•85W最高の電力損失
•高温および高圧適用

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