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BSZ0909NS MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の高性能のスイッチング・トランジスタ
特徴:
- N-Channel MOSFET
- 電圧:100V
- 現在を流出させなさい:6A
- Rds ():0.36ohm
- パッケージ:TO-252
- 最高の電力損失:2.1W
- 実用温度:-55°Cへの175°C
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