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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

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IPB107N20N3G MOSFETの最高の効率および信頼性のための高性能パワーエレクトロニクス

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型式番号 :IPB107N20N3G

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :200ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :88A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :10V

（最高） @ ID、VgsのRds :10.7mOhm @ 88A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :4V @ 270µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :87 NC @ 10ボルト

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IPB107N20N3G MOSFETの最高の効率および信頼性のための高性能パワーエレクトロニクス

特徴:
•低いオン抵抗
•低いゲート充満
•低い境界
•平行になる容易さ
•評価されるなだれ

パッケージ:TO-220AB

絶対最高評価:
•下水管源の電圧（VDS）:200ボルト
•ゲート源の電圧（VGS）:± 20 V
•流れ（ID）を流出させなさい:107 A
•電力損失（PD）を流出させなさい:110 W
•作動し、保管温度の範囲:-55°Cへの+150°C

電気特徴:
•オン抵抗（RDS （））:0.07 Ω
•ゲートの境界の電圧（VGS （Th））:2ボルト
•ゲート源の漏出流れ（IGSS）:± 10のµA
•ゲート充満（QG）:15 NC
•入れられたキャパシタンス（Ciss）:1850 pF
•出力キャパシタンス（Coss）:330 pF
•逆の移動キャパシタンス（Crss）:40

私達からの買物>>>の速く/安全に/便利になぜ

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