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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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力の適用のためのSI2301CDS-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能そして耐久の解決

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型式番号 :SI2301CDS-T1-GE3

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :30ボルト

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :3.3A （Ta）、3.6A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

（最高） @ ID、VgsのRds :60mOhm @ 3.2A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :2.2V @ 250µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :6.7 NC @ 10ボルト

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力の適用のためのSI2301CDS-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能そして耐久の解決

Vishay SI2301CDS-T1-GE3のN-Channel MOSFET、30V、3.2A、3.2オーム、8 Pin SOT-23

製品の機能:
- 高密度適用のための控えめなパッケージの理想
- 高温にはんだ付けすることは保証した:ターミナルの260 °C/10 s
- ESD保護される:HBM ESD > 2000ボルト;CDM ESD > 1000ボルト
- 高性能のための低いRDS （）
- 優秀な性能のための高速切換え
- 損失を転換することを減らされるのための低いゲート充満
- 十分になだれの電圧および流れを特徴付けた

製品仕様書:
- 極性:N-Channel
- 電圧:30V
- 現在:3.2A
- オン州の抵抗:3.2オーム
- ピンの数:8 Pin SOT-23
- パッケージのタイプ:SOT-23

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