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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

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抵抗スイッチのIRL8113PBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低電圧の低速

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型式番号 :IRL8113PBF

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1 - 3日

包装の細部 :標準

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :30V

現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :105A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :4.5V、10V

（最高） @ ID、VgsのRds :6mOhm @ 21A、10V

Vgs （（最高） Th） @ ID :2.25V @ 250µA

ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :35 NC @ 4.5ボルト

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IRL 8113 PBF MOSFET力

抵抗スイッチの電子工学の高性能の低電圧の低速

IRL8113PBFは有効な、信頼できる力の転換の適用のために設計されているMOSFETである。それは低いオン抵抗および低いゲート充満のために最大限に活用され、それを広い応用範囲のために適したようにする。

変数:

•下水管源の電圧:100V

•連続的な下水管の流れ:10A

•下水管源のオン抵抗:0.090Ω

•ゲート充満:12nC

•入れられたキャパシタンス:700pF

•実用温度:-55°Cへの+150°C

•タイプの取付け:穴を通して

•パッケージ/場合:TO-264-3

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抵抗スイッチのIRL 8113 PBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低電圧の低速

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