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IRF3710PBF MOSFET力
電子工学の高性能の高い信頼性の切換え装置
記述:
IRF3710PBFは高圧の、高速力MOSFETである。それは高性能、低い電力の損失および速い切換えのための低いゲート充満が付いているN-Channelの強化モード装置である。
指定:
- 下水管源の電圧:100V
- 現在を流出させなさい:34A
- ゲートの境界の電圧:4V
- RDS （）:0.042オーム
- 入れられたキャパシタンス:400pF
- 電力損失:4.2W
- 実用温度:-55°Cへの175°C
- パッケージ/場合:TO-220AB
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