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3 年
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製品名:SIHF12N50CE3
製造業者:Vishay Siliconix
記述:N-Channel 500V （D-S） 175·C MOSFET
パッケージのタイプ:TO-263-3 （D2PAK）
迎合的なRoHS:はい
最高の下水管源の電圧（VDS）:500VMaximum連続的な下水管の流れ（ID）:12A
最高の電力損失:90W
ゲート源の電圧（VGS） 30V
境界の電圧（VGSth） 2.5V （タイプ。）
下水管源のオン州の抵抗（RDS （））:0.39Q （タイプ。）実用温度範囲:-55°Cへの+175°C
特徴:
速いswitchingLowのゲート充満
低いゲートの抵抗
なだれエネルギーは評価した
lmproved dv/dtの機能
100%のなだれはテストした
迎合的なRoHS
適用:
転換の電源
力率訂正
DC-DCのコンバーター
モーター ドライブ
バラストをつけること
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