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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
電子部品ICの破片 (627)
フラッシュ・メモリの破片 (655)
MOSFETのパワー エレクトロニクス (1323)
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ICのダイオードのトランジスター (10)
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SQ7415AEN-T1_GE3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能および信頼できる力の切換えの解決
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プログラム可能なICの破片
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集積回路ICの破片
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MCUのマイクロ制御回路単位
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電子部品ICの破片
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フラッシュ・メモリの破片
[655]
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[1323]
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SQ7415AEN-T1_GE3 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能および信頼できる力の切換えの解決
製品の詳細
SI2347DS-T1-BE3 MOSFET力 電子工学の高性能および信頼できる力の切換えの解決 変数: •下水管源の電圧（VDS）:-55V •ゲート源の電圧（VGS）:-20V •流れ（ID）を流出させなさい:-60 A •下水管源のオン抵抗（RDS （））:0.0045 Ω •電力損失（PD）...
製品詳細図 →
商品のタグ：
igt 1200v
igt 600v
1200vgbt
