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3 年
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プロダクト リスト:
SQM120P10_10M1LGE3 N-Channel MOSFET
特徴:
•100V下水管源の電圧
•10A連続的な下水管の流れ
•120mOhms @ 10V、25°C RDS （）
•低いゲート充満
•低いオン抵抗
•低い入出力キャパシタンス
•低い境界の電圧
•速い切換え
•ESDは保護した
•迎合的なRoHS
•自由なハロゲン
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