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Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.

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China MX2301電界効果トランジスタPチャネルの三極管の強化モード力MOSFET for sale

MX2301電界効果トランジスタPチャネルの三極管の強化モード力MOSFET

電子部品A1SHBのトランジスター2301 -20V -2.8A SOT-23 Pチャネル 製品の説明 MX2301Aは1.8V低いゲートの電圧の優秀なRDS、低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。 この装置は負荷スイッチとしてまたはPW......
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China 電子部品の電界効果トランジスタMX3401 -30V VDS MOSの管の表面の台紙 for sale

電子部品の電界効果トランジスタMX3401 -30V VDS MOSの管の表面の台紙

電子部品MX3401のトランジスター-30V -4.2A SOT-23-3L Pチャネル 記述 MX3401は優秀なRDS （）、低いゲート充満を提供するのに高度の堀の技術を使用します 2.5V低いゲートの電圧の操作。この装置は負荷スイッチとしてまたはPWMの適用で使用のた......
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China 表面の台紙MX3407の高い発電のトランジスターP -チャネル タイプRoHSは証明しました for sale

表面の台紙MX3407の高い発電のトランジスターP -チャネル タイプRoHSは証明しました

在庫の電子部品MX3407の電界効果トランジスタPチャネル 製品の説明 高い発電および現在の渡す機能無鉛プロダクトは得られます表面の台紙のパッケージ 私達の利点: 1. 電子部品の専門家および専門家。2.強いR & Dのチーム、ベテランの研......
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China 二重N -チャネルの電界効果トランジスタMXN3312の力の切換えのための高密度細胞の設計 for sale

二重N -チャネルの電界効果トランジスタMXN3312の力の切換えのための高密度細胞の設計

MXN3312電界効果トランジスタ二重N -チャネルの強化モード力Mosfet 製品の説明 MXN3312は低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるのに高度の堀の技術および設計を使用します。それはいろいろ適用で使用することができます。 高密度細胞の設計fo超低いRd......
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China 2N7002電界効果トランジスタNチャネルのトランジスター プラスチックはMOSFETSを内部に閉じ込めます for sale

2N7002電界効果トランジスタNチャネルのトランジスター プラスチックはMOSFETSを内部に閉じ込めます

電子部品A1SHBのトランジスター2301 -20V -2.8A SOT-23 Pチャネル 製品の説明 MX2301Aは1.8V低いゲートの電圧の優秀なRDS、低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。 この装置は負荷スイッチとしてまたはPW......
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China Mos可聴周波Mosfetのトランジスター/高周波トランジスター アンプ for sale

Mos可聴周波Mosfetのトランジスター/高周波トランジスター アンプ

Mos可聴周波Mosfetのトランジスター/高周波トランジスター アンプ 可聴周波Mosfetのトランジスター塗布DCの運動制御自動車適用無停電電源装置絶対最高評価（Tc=25°C） 記号変数評価単位VDSS下水管源の電圧60VVGS電圧連続的なゲート源±30VID現在連続的流出させて下さい（ノート...
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China 電子ランプのバラストのための有機性Nチャネルの電界効果トランジスタ for sale

電子ランプのバラストのための有機性Nチャネルの電界効果トランジスタ

電子ランプのバラストのための有機性Nチャネルの電界効果トランジスタ Nチャネルの電界効果トランジスタの特徴高い入力インピーダンスおよび低レベル ドライブテストされるなだれエネルギー改善されたdv/dtの機能、高い険しさ 絶対最高評価（Tc=25°C） 記号変数評価単位VDSS下水管源の電圧60VVG...
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China 高い入力インピーダンスNチャネルのトランジスター、分野放出トランジスター600V for sale

高い入力インピーダンスNチャネルのトランジスター、分野放出トランジスター600V

高い入力インピーダンスNチャネルのトランジスター、分野放出トランジスター600V Nチャネルのトランジスター特徴 高い入力インピーダンスおよび低レベル ドライブ テストされるなだれエネルギー 改善されたdv/dtの機能、高い険しさ Nチャネルのトランジスター塗布 高......
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China RoHSの証明書が付いている金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ for sale

RoHSの証明書が付いている金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ

RoHSの証明書が付いている金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ 金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特徴 低いゲート充満 低いRdson （典型的な5.5mΩ） 速い切換え テストされる100%のなだれ 改善されたdv/dtの機能 RoHSプロダクト テストされ......
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China OEMの高い発電のJfetのトランジスター、Npnのトランジスター アンプ650V for sale

OEMの高い発電のJfetのトランジスター、Npnのトランジスター アンプ650V

OEMの高い発電のJfetのトランジスター、Npnのトランジスター アンプ650V 力のJfetのトランジスター特徴 高い入力インピーダンスおよび低レベル ドライブ テストされるなだれエネルギー 改善されたdv/dtの機能、高い険しさ 低いゲート充満 低いRdson......
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