Add to Cart
エピタキシアル成長のためのVGF 2のインチ4Inch NのタイプPのタイプGaAsのウエファーの半導体の基質
ガリウム砒素は抵抗のsemi-insulating抗力が高い材料にケイ素およびゲルマニウムより高い集積回路の基質、赤外線探知器、ガンマの光子の探知器、等を作るのに使用されている3つ以上の一桁作ることができる。電子移動度はケイ素のそれより大きい5から6倍ので、マイクロウェーブ装置および高速デジタル回路の製造で重要な適用がある。ガリウム砒素から成っているガリウム砒素はケイ素およびゲルマニウムより高い集積回路の基質および赤外線探知器を作るのに使用されている3つ以上の一桁の抵抗のsemi-insulating抗力が高い材料に作ることができる。
1. 光電子工学のガリウム砒素の適用
2. マイクロエレクトロニクスのガリウム砒素の適用
3. コミュニケーションのガリウム砒素の適用
4. マイクロウェーブのガリウム砒素の適用
5. 太陽電池のガリウム砒素の適用
| タイプ/添加物 | 半絶縁される | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 適用 | マイクロEletronic | LED | 半導体レーザー | |
| 成長方法 | VGF | |||
| 直径 | 2"、3"、4"、6つ | |||
| オリエンテーション | （100） ±0.5° | |||
| 厚さ（µm） | 350-625um±25um | |||
| OF/IF | 米国EJかノッチ | |||
| キャリア集中 | - | （0.5-5） *1019 | （0.4-4） *1018 | （0.4-0.25） *1018 |
| 抵抗（オームcm） | >107 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 | （1.2-9.9） *10-3 |
| 移動性（cm2/V.S.） | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 腐食ピッチ密度（/cm2） | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV [P/P] （µm） | <5> | |||
| TTV [P/E] （µm） | <10> | |||
| ゆがみ（µm） | <10> | |||
| 終わる表面 | P/E P/P E/E | |||
ガリウム砒素は化合物半導体の最も重要な、最も広く利用された半導体材料であり、それはまた生産の現在最も成長した、最も大きい化合物半導体材料である。
