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モノクリスタルMBE 99.9999%のためにNタイプ2inch 3inch 4inch InAsのウエファーの水晶基質
インジウムInAsかインジウムのモノラル ヒ化物はインジウムおよびヒ素で構成される半導体である。942°C.インジウムのヒ化物の融点の灰色の立方水晶の出現が使用する1-3.8umの波長範囲が付いている赤外線探知器を組み立てることをある。探知器は通常光起電フォトダイオードである。低温学の冷却の探知器に低雑音がある、InAsの探知器はまた室温で強力な適用に使用することができる。またインジウムのヒ化物がダイオードのレーザーを作るのに使用されている。インジウムのヒ化物はガリウム砒素に類似して、直接バンド ギャップ材料である。インジウムのヒ化物は時々リン化インジウムと使用される。インジウムのヒ素-バンド ギャップがIn/Gaの比率によって決まる材料--を形作るガリウム砒素が付いている合金。この方法はガリウム窒化物が付いている合金になるインジウムの窒化物に主に類似しているインジウムの窒化物を作り出すために。インジウムのヒ化物は高い電子移動度および狭帯域のギャップのために知られている。それはそれが強力な淡い琥珀色のエミッターであるのでterahertzの放射源として広く利用されている。
、それは*高い電子移動度および移動性の比率（μe/μh=70）と…ホール装置のための理想的な材料である。
* MBEはGaAsSb、InAsPSbおよびInAsSbの複数のエピタキシアル文書と育てることができる。
*材料の純度が99.9999%に達することができることを液体の密封方法（CZ）は、保障する（6N）。
Epi準備ができたの条件を満たすために*すべての基質は保護大気で正確に磨かれ、満ちている。
*水晶方向選択:もう一つの水晶方向は利用できる、例えば（110）。
*光学測定技術は、ellipsometryのような、各基質のきれいな表面を保障する。
| InAsのウエファーの指定 | ||||||||||
| 直径の切れ | 2" | 3" | ||||||||
| オリエンテーション | （100） +/-0.1° | （100） +/- 0.1° | ||||||||
| 直径（mm） | 50.5 +/- 0.5 | 76.2 +/- 0.4 | ||||||||
| 平らな選択 | EJ | EJ | ||||||||
| 平らな許容 | +/- 0.1° | +/- 0.1° | ||||||||
| 主要で平らな長さ（mm） | 16 +/- 2 | 22 +/- 2 | ||||||||
| マイナーで平らな長さ（mm） | 8 +/- 1 | 11 +/- 1 | ||||||||
| 厚さ（um） | 500 +/- 25 | 625 +/- 25 | ||||||||
| 電気および添加物の指定 | ||||||||||
| 添加物 | タイプ | キャリア 集中cm3 | 移動性 cm^2•V^-1•s^-1 | |||||||
| Undoped | nタイプ | （1-3） *10^16 | >23000 | |||||||
| 低硫黄 | nタイプ | （4-8） *10^16 | 25000-15000 | |||||||
| 高い硫黄 | nタイプ | （1-3） *10^18 | 12000-7000 | |||||||
| 低い亜鉛 | pタイプ | （1-3） *10^17 | 350-200 | |||||||
| 高い亜鉛 | pタイプ | （1-3） *10^18 | 250-100 | |||||||
| E.P.D. cm^-2 | 2" <>3つ <> | |||||||||
| 平坦の指定 | ||||||||||
| ウエファーの形態 | 2" | 3" | ||||||||
| ポーランド/エッチングされる | TTV （um） | <12> | <15> | |||||||
| 曲げなさい（um） | <12> | <15> | ||||||||
| 歪めなさい（um） | <12> | <15> | ||||||||
| ポーランド/ポーランド | TTV （um） | <12> | <15> | |||||||
| 曲げなさい（um） | <12> | <15> | ||||||||
| 歪めなさい（um） | <12> | <15> | ||||||||
:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である
在庫では、それは量に従ってある。
