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2inch /3inch 4inch /5inch/6inch C-axis/a axis/ r axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thickness2inch 4inch customized A axis sapphire wafers for epitaxial growth 430um SSP DSP
格子が不一致し,化学的および物理的性質が安定しているため,サファイア ((Al2O3) ウェーファーはIII-Vナイトリド,超伝導体および磁性エピフィルムの人気のある基板です.彼らは広くGaNと薄膜表頭軸性成長に使用されていますLED市場と光学産業
ZMSHはプロのサファイア・ウエファーサプライヤーで,高純度99.999%の単結晶磨きサファイア・ウエファーを製造しています.そして私たちのサファイア (Al2O3) 基板は,優れた表面仕上げを持っています鍵となる LED パラメータです
信頼性の高いサファイア・ウェーバーのサプライヤーを探している場合は, 連絡してください.
平面のサファイアウエファーは均質な介電常数と高保温特性があるため,一般的にハイブリッドマイクロ電子アプリケーションに使用される.この方向性は高超伝導体の成長にも使えます.
例えば,TlBaCaCuO (TbBaCaCuO),Tl-2212,ヘテロエピタキシアル超伝導性薄膜は,サファイアセリウムオキシド (CeO2) 複合基板の上に栽培される.アングストロム等級の表面仕上げの利用性は,ハイブリッドモジュールの細い線間接続を可能にします.
| ポイント | 2インチA平面 (11~20) 430μm サファイア・ウェーファー | |
| 結晶材料 | 99純度高999%,単結晶Al2O3 | |
| グレード | プライム エピ準備 | |
| 表面の向き | A平面 (11~20) | |
| 直径 | 50.8 mm +/- 0.1 mm | |
| 厚さ | 430 μm +/- 25 μm | |
| 主要的な平面方向性 | C平面 ((0001) +/- 0.2° | |
| 主要平面長さ | 16.0 mm +/- 1.0 mm | |
| 片側から磨いた | 前面 | エピポリス,Ra < 0.5 nm (AFMによる) |
| (SSP) | 裏面 | 細工,Ra=0.8μmから1.2μm |
| 双面に磨いた | 前面 | エピポリス,Ra < 0.5 nm (AFMによる) |
| (DSP) | 裏面 | エピポリス,Ra < 0.5 nm (AFMによる) |
| TTV | < 10 μm | |
| ボウ | < 10 μm | |
| WARP | < 10 μm | |
| 清掃 / 梱包 | 清潔室の清掃と真空包装のクラス100 | |
| 25個 1枚のカセットパッケージまたは 1 枚のパッケージ | ||
注:任意の方向性と厚さでカスタムなサファイア・ウエフラーと基板が提供できます.
| 2インチ |
DSP C-AXIS 0.1mm/ 0.175mm/ 0.2mm/ 0.3mm/ 0.4mm/ 0.5mm/ 1.0mmt SSP C軸 0.2/0.43mm (DSPとSSP) A平面 (1120) のサファイア・ウェーファー
R平面 (1102) サファイア・ウェーファー M平面 (1010) サファイア・ウエフラー
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| 3インチ |
DSP/SSP C軸 0.43mm/0.5mm
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| 4インチ |
dspc軸 0.4mm/ 0.5mm/1.0mm sspc軸 0.5mm/0.65mm/1.0mmt
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| 6インチ |
ssp c軸 1.0mm/1.3mm
dspc軸 0.65mm/0.8mm/1.0mmt
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