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2inch/3inch/4inch S/Fe/ZnはINPリン化インジウムの単結晶のウエファーを添加した
リン化インジウム（INP）は高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導性の利点の重要な化合物半導体材料である。製造の高周波、高速、高い発電マイクロウェーブ装置および集積回路のために適した。それは市民および軍の適用のソリッド ステート照明、マイクロウェーブ コミュニケーション、光ファイバーコミュニケーション、太陽電池、指導/運行、衛星および他の分野で広く利用されている。
zmkjの缶はINPウエファー–リン化インジウム--を提供するLEC （液体の内部に閉じ込められたCzochralski）またはVGF （縦の勾配の氷結）によって別のオリエンテーション（111）のnのタイプ、pのタイプまたはsemi-insulatingのepi準備ができたか機械等級としてまたは育つ（100）。
リン化インジウム（INP）はインジウムおよびリンで構成される二進半導体である。それにGaAsのそれおよびIII-Vの半導体のほとんどと同一のface-centered立方（「亜鉛閃亜鉛鉱」）結晶構造がある。リン化インジウムは400 °C.の黄リンおよびインジウムのヨウ素化合物[必要とされる説明]の反作用から高温および圧力の浄化された要素の直接組合せ、またはtrialkylのインジウムの混合物およびリン化物の混合物の熱分解によって、[5]また準備することができる。INPは強力な、高周波電子工学[必要とされる参照]で共通の半導体ケイ素およびガリウム砒素に関して優秀な電子速度のために使用される。
| INPウエファーの処理 | |
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| 各インゴットは、磨かれて重なり合うおよび表面切られるエピタクシーのために準備されるウエファーに。全面的なプロセスはこの下に詳しく述べられる。 | |
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| 平らな指定および同一証明 | オリエンテーションは2つの平たい箱によってウエファーで示される（長く同一証明のオリエンテーション、小さい平たい箱のために平らな）。通常E.J.の標準は（European-Japanese）使用される。互い違いの平らな構成（米国）はØ 4"のために大抵ウエファー使用される。 |
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| bouleのオリエンテーション | 厳密な（100）またはmisorientedウエファーは提供される。 |
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| オリエンテーションの正確さのの | 光電子工学の企業の必要性に応じて、私達オリエンテーションのの優秀な正確さの提供のウエファー: < 0=""> |
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| 端のプロフィール | 2つの共通specsがある:処理するか、または機械端の処理する化学端（端の粉砕機と）。 |
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| ポーランド語 | ウエファーは平らな、無傷性の表面に終って化学薬品機械プロセスによって磨かれる。私達は磨かれる二重側および単一側の磨かれた（重ね合わせられ、エッチングされた裏側と）ウエファーを両方提供する。 |
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| 最終的な生地ごしらえおよび包装 | ウエファーは多くの化学ステップによって磨くことの間に作り出される酸化物を取除き、エピタキシアル成長の準備ができている安定した、均一酸化物の層ときれいな表面を作成することを行く- epiready表面およびそれは極端に低いレベルに微量の元素を減らす。最終検査の後で、ウエファーは表面の清潔を維持する方法で包まれる。 酸化物の取り外しのための特定の指示はすべてのタイプのエピタキシアル技術（MOCVD、MBE）のために利用できる。 |
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| データベース | ウエファーのあらゆるインゴット、また水晶質および表面の分析のための私達の統計的なプロセス制御/総合的品質管理プログラムの一部として、電気および機械特性を記録する広範なデータベースは利用できる。製作の各段階で、プロダクトはウエファー ウエファーにとbouleからのbouleに質の一貫性のhigh-levelを維持する次の段階に通じる前に点検される。 |
2-4inchのためのs'のpecification
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