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8"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ
BonTekは良質のケイ素の2 ″からの300mmにすべての直径の熱酸化物のウエファーを提供する。私達は熱酸化物の高い均一層が炉で形作られるようにあなたの特定の条件が主な等級を選び、基質ことをとして自由なシリコンの薄片を逃走することによって満たされることを保障する。
micro-technologyでは、使用される主要な絶縁体はSiO2として元素記号に書かれる二酸化ケイ素である。絶縁の酸化物の層を、層を得るのに使用される共通の技術である熱酸化作り出すためには、使用される。層を得るプロセスは炉で行われる。
ウエファーの両側の熱酸化物
フィルム厚さ:100Å –両側の10µm
フィルム厚さの許容:ターゲット±5%
フィルムの圧力:-圧縮320±50 MPa
フィルム厚さ:100Å –両側の10,000Å
フィルム厚さの許容:ターゲット±5%
フィルムの圧力:圧縮-320±50 MPa
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半標準 |
2" （50.8mm） |
3" （76.2mm） |
4" （100mm） |
5" （125mm） |
6" （150mm） |
8" （200mm） |
12" （300mm） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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直径 |
50.8 ± 0.38mm | 76.2 ± 0.63mm | 100 ± 0.5mm | 125 ± 0.5mm | 150 ± 0.2mm | 200 ± 0.2mm | 300 ± 0.2mm |
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厚さ |
279 ± 25µm | 381 ± 25µm | 525 ± 20のµmまたは 625 ± 20µm |
625 ± 20µm | 675 ± 20µmまたは 625 ± 15µm |
725 ± 20µm | 775 ± 20µm |
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タイプ |
P、Nまたは真性 |
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添加物 |
B、PH、ようにまたはUndoped |
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オリエンテーション |
<100> <111>、 <110> |
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Rsistivity |
0.001 – 300 ohm/cm |
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第一次平らな長さ |
15.88 ± 1.65mm | 22.22 ± 3.17mm | 32.5 ± 2.5mm | 42.5 ± 2.5mm | 57.5 ± 2.5mm | ノッチ | ノッチ |
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二次平らな長さ |
8 ± 1.65mm | 11.18 ± 1.52mm | 18 ± 2.0mm | 27.5 ± 2.5mm | 37.5 ± 2.5mm | NA | NA |
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表面の終わり |
エッチングされるか、または重なり合うSSP、DSP | ||||||
受入検査
1. プロダクトは壊れやすい。私達は十分にそれを詰め、壊れやすい分類した。私達は優秀な国内および国際的な明白な会社を通って交通機関の質を保障するために渡す。
2. 商品を受け取った後、外のカートンが良好であるかどうか確認するために注意して扱えば。注意深く外のカートンを開け、荷箱が一直線上であるかどうか確認しなさい。それらを取る前に映像を撮りなさい。
3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。
4. プロダクトが急使の間に傷つけられてあったら、映像を撮るか、またはビデオをすぐに記録しなさい。包装箱から傷つけられたプロダクトを取ってはいけない!私達にすぐに連絡すれば私達は問題をよく解決する。
