Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

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Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面

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Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面

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Brand Name :BonTek
Model Number :Sapphire (Al2O3)
Certification :ISO:9001
Place of Origin :China
MOQ :5 Pieces
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :10000 pieces/Month
Delivery Time :1-4 weeks
Packaging Details :Cassette, Jar, Film package
Material :Sapphire Wafer
Type :Single Crystal
Color :White / Red / Blue
Growth Method :Horizontally Directed Crystallization (HDC)
Surface :Double side polish
VIS range :85%
Application :Semicondutor Wafer, Led Chip, Optical Glass Window, Electronic Ceramics
Industry :Led,optical Glass,eli-ready Wafer
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Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面

 

Stepanovの方法はサファイアの棒、管およびテープを含むさまざまな構成のモノクリスタルのサファイアの細部の成長のために、使用される。

水平に指示された結晶化の方法は大きいサファイアのモノクリスタルの統合で広く利用されている。指示された結晶化および帯状に溶けることの要素はGorizontallyで首尾よく指示した結晶化(HDC)方法を結合される。水晶は炉充満が付いている容器に沿うローカル溶かされた地帯の遅い動きで育ち、ボートの形態を持っている。横の指示された結晶化方法は横断面の小さいサイズの分散をモノクリスタル サファイアの受け入れに与え、他の成長方法の使用で得難いレコード・サイズの版の形であらゆる結晶学のオリエンテーションのサファイアのモノクリスタルを育つことを割り当てる。
 

Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面

 

光学的性質

伝達

0.17から5.5 um

R.i.

1.75449 (o) 1.74663 1.06の(e) um

反射損失

o光線- 11.7%のための1.06ミクロン(2つの表面);e光線- 14.2%のため

吸収の索引

2.4の0.3 x 10-3 cm-1 um

dN/dT

13.7 x 5.4の10-6 um

dn/dm = 0

1.5 um

 

オリエンテーション

R平面、C平面、平面、M平面または指定オリエンテーション

オリエンテーションの許容

± 0.3°

直径

2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチまたは他

直径の許容

2インチのための0.1mm、3インチのための0.2mm、4インチのための0.3mm、6インチのための0.5mm

厚さ

0.25mm、0.33mm、0.43mm、0.65mm、1mmまたは他;

厚さの許容

25μm

第一次平らな長さ

2インチのための16.0±1.0mm、3インチのための22.0±1.0mm、4インチのための30.0±1.5mm、6インチのための47.5/50.0±2.0mm

第一次平らなオリエンテーション

平面(1 1-2 0)の± 0.2°;C平面(0の0-0 1) ± 0.2°の写し出されたC軸線45 +/- 2°

TTV

2インチのための≤10µm、3インチのための≤15µm、4インチのための≤20µm、6インチのための≤25µm

2インチのための≤10µm、3インチのための≤15µm、4インチのための≤20µm、6インチのための≤25µm

前部表面

Epi磨かれた(C平面のためのRa< 0.3nm、他のオリエンテーションのための0.5nm)

背部表面

良い地面(Ra=0.6μm~1.4μm)またはEpi磨かれた

包装

クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる

 

Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面

 

受入検査

Stepanovの方法によって育てられるサファイアのウエファー2Inch 3inch 4inch 6inchのR軸線のM平面

 

1. プロダクトは壊れやすい。私達は十分にそれを詰め、壊れやすい分類した。私達は優秀な国内および国際的な明白な会社を通って交通機関の質を保障するために渡す。

 

2. 商品を受け取った後、外のカートンが良好であるかどうか確認するために注意して扱えば。注意深く外のカートンを開け、荷箱が一直線上であるかどうか確認しなさい。それらを取る前に映像を撮りなさい。

 

3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。

 

4. プロダクトが急使の間に傷つけられてあったら、映像を撮るか、またはビデオをすぐに記録しなさい。包装箱から傷つけられたプロダクトを取ってはいけない!私達にすぐに連絡すれば私達は問題をよく解決する。

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