高い現在の低い内部抵抗のBSC011N03LSI IGBT力モジュール
型式番号:BSC011N03LSI
原産地:Infineon
最低順序量:1
支払の言葉:T/T
供給の能力:3000
包装の細部:カートン
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FLAT/RM D52 3/F WONG王工業ビル2TAU=I YAUの通り無し
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
高い現在の低い内部抵抗のBSC011N03LSI IGBT力モジュール
高い現在および低い内部抵抗のBSC011N03LSI Mosfet TDSON-8
| 製品特質 | 属性値 | 類似した調査 |
|---|---|---|
| Infineon | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | 細部 | |
| Si | ||
| SMD/SMT | ||
| TDSON-8 | ||
| N-Channel | ||
| 1つのチャネル | ||
| 30ボルト | ||
| 230 A | ||
| 1.1のmOhms | ||
| - 20ボルト、+ 20ボルト | ||
| 2ボルト | ||
| 68 NC | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| 96 W | ||
| 強化 | ||
| OptiMOS | ||
| 巻き枠 | ||
| テープを切りなさい | ||
| MouseReel | ||
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ | |
| 構成: | 単一 | |
| 落下時間: | 6.2 ns | |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 80 S | |
| 高さ: | 1.27 mm | |
| 長さ: | 5.9 mm | |
| 製品タイプ: | MOSFET | |
| 上昇時間: | 9.2 ns | |
| 5000 | ||
| 下位範疇: | MOSFETs | |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel | |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 35 ns | |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 6.4 ns | |
| 幅: | 5.15 mm | |
| 部分#別名: | BSC11N3LSIXT SP000884574 BSC011N03LSIATMA1 | |
| 単位重量: | 0.003683 oz |
高い現在の低い内部抵抗のBSC011N03LSI IGBT力モジュール
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