MMBT5551LT1G IGBT力モジュール600mA 160V BJTの両極トランジスター
型式番号:MMBT5551LT1G
原産地:オン
最低順序量:3000
支払の言葉:T/T
供給の能力:10000
受渡し時間:5-8仕事日
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FLAT/RM D52 3/F WONG王工業ビル2TAU=I YAUの通り無し
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
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製品詳細
MMBT5551LT1G IGBT力モジュール600mA 160V BJTの両極トランジスター
MMBT5551LT1G SOT-23-3の両極トランジスター- BJT 600mA 160V NPN
| onsemi | |
| 両極トランジスター- BJT | |
| RoHS: | 細部 |
| SMD/SMT | |
| SOT-23-3 | |
| NPN | |
| 単一 | |
| 160ボルト | |
| 180ボルト | |
| 6ボルト | |
| 200 mV | |
| 600 mA | |
| 225 MW | |
| - | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| MMBT5551L | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | onsemi |
| 連続的なコレクター流れ: | 0.6 A |
| DCのコレクター/基礎利益hfe分: | 80 |
| 最高DCの現在の利益hFE: | 250 |
| 高さ: | 0.94 mm |
| 長さ: | 2.9 mm |
| 製品タイプ: | BJTs -両極トランジスター |
| 工場パックの量 | 3000 |
| 下位範疇: | トランジスター |
| 技術: | Si |
| 幅: | 1.3 mm |
| 単位重量: | 0.000282 oz |
MMBT5551LT1G IGBT力モジュール600mA 160V BJTの両極トランジスター
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