FS8205AはMOSFET 20V 6A Nチャネルの強化モード二倍になる
型式番号:FS8205A
原産地:台湾
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:12000PCS/WEEK
受渡し時間:2-3days
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Shenzhen Guangdong China
住所：
3418、DuhuixuanのShennanの道、福田区、シンセン、広東省、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FS8205Aの二重N-Channel強化モードMOSFET （20V、6A）
1.Description
このN-Channel 2.5VはMOSFETをである高度の堀プロセスの険しいゲート版指定した。それはゲート ドライブ電圧（2.5V-10V）の広い範囲との力管理適用のために最大限に活用された
2.Features
RDS （） =38mΩ@VGS=2.5V、ID=5.2A;RDS （） =25mΩ@VGS=4.5V、ID=6A
•超低いオン抵抗のための高密度細胞の設計
•高い発電および現在の渡す機能
•十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ
•李イオン電池のパックの塗布のための理想
3.Applications
電池の保護
負荷スイッチ
力管理
4.SwitchingTest回路
5.TSSOP-8L次元
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FS8205AはMOSFET 20V 6A Nチャネルの強化モード二倍になる
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