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包装 | 大きさ | |
---|---|---|
部分の状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | N-Channel | |
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 60V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 4.5V、10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 5Ohm @ 500mA、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3V @ 1mA | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 400mW (Ta) | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | 穴を通して | |
製造者装置パッケージ | TO-92-3 | |
パッケージ/場合 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | |
基礎部品番号 | 2N7000 |